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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7809AVTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7809AVTRPBF价格参考。International RectifierIRF7809AVTRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7809AVTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7809AVTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7809AVTRPBF 是一款P沟道增强型MOSFET,属于单MOSFET晶体管,广泛应用于低电压、高效率的电源管理场景。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和优良的热性能,适合在便携式电子设备中使用。 典型应用场景包括: 1. 电池供电设备:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,用于电源开关、电池充放电管理及负载切换,因其低功耗特性有助于延长电池续航时间。 2. DC-DC转换器:在同步整流或降压(Buck)电路中作为高端或低端开关,提升转换效率。 3. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机的控制电路,尤其在空间受限的消费类电子产品中表现优异。 4. 电源管理模块:用于热插拔电路、过流保护电路和电源多路复用,实现安全可靠的电源控制。 5. 工业与消费类电子:如打印机、POS机、智能家居设备中的逻辑控制和电源开关功能。 IRF7809AVTRPBF采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,同时具备良好的抗静电(ESD)能力,增强了系统可靠性。其无铅环保设计也符合RoHS标准,适用于对环保要求较高的产品。 综上,该MOSFET特别适用于需要高效、小型化和低功耗电源解决方案的中低功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOICMOSFET MOSFT 30V 13.3A 9mOhm 41nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 13.3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7809AVTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7809AVTRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 41 nC |
| Qg-栅极电荷 | 41 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3780pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 15A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | *IRF7809AVTRPBF |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 9 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 13.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13.3A (Ta) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7809av.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7809av.spi |