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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTS4101PT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTS4101PT1价格参考。ON SemiconductorNTS4101PT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTS4101PT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTS4101PT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTS4101PT1是安森美(ON Semiconductor)生产的一款P沟道增强型MOSFET,采用SOT-23小封装,适用于低电压、低功耗场景。其主要应用场景包括便携式电子设备中的电源管理与负载开关控制。例如,在智能手机、平板电脑、可穿戴设备中,常用于电池供电系统的开关控制,实现对不同模块的上电时序管理或节能关断。此外,该器件也广泛应用于DC-DC转换电路中,作为高端或低端开关,配合其他元件完成电压调节功能。由于其导通电阻较低(典型值约65mΩ),能有效减少功率损耗,提升系统效率。NTS4101PT1还适合用于信号切换、LED驱动电路以及各类小型消费类电子产品中的逻辑控制与电源通断。其SOT-23封装体积小巧,便于高密度PCB布局,非常适合空间受限的应用。总体而言,该MOSFET凭借其高可靠性、低静态功耗和良好的热稳定性,广泛服务于工业控制、通信模块及家电控制板等领域的低功率开关需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | NTS4101PT1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 840pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 120 毫欧 @ 1A,4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
| 功率-最大值 | 329mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.37A (Ta) |