Datasheet下载- 型号： PTVS30VP1UP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
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PTVS30VP1UP,115产品简介：
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Nexperia USA Inc. 的 PTVS30VP1UP,115 是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管，主要用于保护电子电路免受瞬态过电压（如静电放电 ESD、电快速瞬变脉冲群 EFT 和雷击感应浪涌）的损害。该器件具有30V的工作峰值反向电压和较高的脉冲功率承受能力，适用于需要稳定电压保护的场合。 典型应用场景包括：通信接口保护（如USB、HDMI、RS-232/485等高速数据线），防止外部静电或瞬态干扰损坏敏感芯片；工业控制设备中的信号线和电源线防护，提升系统可靠性；消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、智能家居设备）中对ESD敏感节点的保护；以及汽车电子中的辅助非高压电路保护，例如车载信息娱乐系统接口。 PTVS30VP1UP,115 采用小型化SOD-123FL封装，节省PCB空间，适合高密度布局设计，同时具备低钳位电压和快速响应特性，可在纳秒级时间内将瞬态高压引导至地，有效保障后级电路安全。其高可靠性和紧凑设计使其广泛应用于便携式设备、工业自动化和汽车电子等领域，是现代电子系统中理想的过压保护元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 30VWM 48.4VC SOD128TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 UNI 1CH 35.1V 12.4A |
| 产品分类 | |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PTVS30VP1UP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTVS30VP1UP,115 |
| PCN封装 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOD-128 |
| 其它名称 | 568-5324-1 |
| 击穿电压 | 35.1 V |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-128 |
| 封装/箱体 | SOD-128 |
| 尺寸 | 2.7 mm W x 4 mm L x 1.1 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 12.4 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 600 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C （TA） |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 33.3V |
| 电压-反向关态（典型值） | 30V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 48.4V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 12.4A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | PTVSxP1UP |
| 钳位电压 | 48.4 V |
