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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SM8S18AHE3/2D由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SM8S18AHE3/2D价格参考。VishaySM8S18AHE3/2D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SM8S18AHE3/2D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SM8S18AHE3/2D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division生产的SM8S18AHE3/2D是一款TVS(瞬态电压抑制)二极管,主要应用于电路保护领域。以下是其典型应用场景: 1. 过压保护 - SM8S18AHE3/2D能够在短时间内承受高能量浪涌电流,适用于防止因雷击、静电放电(ESD)或负载突降等引起的过电压对电路的损害。 - 常用于电源线、信号线和数据线的保护。 2. 通信设备 - 在路由器、调制解调器、交换机等通信设备中,用于保护接口电路免受外部干扰和瞬态电压的影响。 - 特别适合以太网端口、USB端口和其他高速数据接口的保护。 3. 汽车电子 - 该型号符合AEC-Q101标准,广泛应用于汽车电子系统中,如车载充电器、娱乐系统、传感器接口和CAN总线等。 - 能够有效抵御汽车环境中常见的电压波动和电磁干扰。 4. 工业控制 - 在工业自动化设备中,用于保护控制器、传感器和通信模块的输入输出端口。 - 防止由于电机启动、停止或其他电气操作引发的瞬态电压损坏敏感元件。 5. 消费电子产品 - 应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备的充电接口和数据传输接口保护。 - 提供对ESD和其他瞬态事件的有效防护。 6. 医疗设备 - 在医疗仪器中,确保关键电路不受外部电压干扰影响,保障设备运行的稳定性和安全性。 性能特点 - 额定反向工作电压:18V - 最大箝位电压:低箝位电压设计,能够有效限制瞬态电压峰值。 - 峰值脉冲功率:高达870W(@10/1000μs) - 响应时间:极快,通常小于1ps,能够迅速抑制瞬态电压。 综上所述,SM8S18AHE3/2D适用于需要高可靠性和快速响应的电路保护场景,特别是在汽车、通信、工业和消费电子等领域中发挥重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护半导体 |
描述 | TVS DIODE 18VWM 32.2VC DO218ABTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 18V 5% Unidir |
产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
品牌 | Vishay Semiconductor Diodes DivisionVishay Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductors SM8S18AHE3/2DPAR® |
数据手册 | |
产品型号 | SM8S18AHE3/2DSM8S18AHE3/2D |
不同频率时的电容 | - |
产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
供应商器件封装 | DO-218AB |
击穿电压 | 20 V |
功率-峰值脉冲 | 6600W (6.6kW) |
包装 | 带卷 (TR) |
单向通道 | 1 |
双向通道 | - |
商标 | Vishay Semiconductors |
商标名 | PAR |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DO-218AB |
封装/箱体 | DO-218AB |
尺寸 | 8.7(Max) mm W x 13.7 mm L |
峰值浪涌电流 | 226 A |
峰值脉冲功率耗散 | 6.6 kW |
工作温度 | -55°C ~ 175°C |
工作电压 | 18 V |
工厂包装数量 | 750 |
应用 | 通用 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
极性 | Unidirectional |
标准包装 | 750 |
电压-击穿(最小值) | 20V |
电压-反向关态(典型值) | 18V |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 32.2V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 205A |
电源线路保护 | 无 |
端接类型 | SMD/SMT |
类型 | 齐纳 |
系列 | SMxSxx |
钳位电压 | 29.2 V |