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MMBZ18VALT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ18VALT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ18VALT1G价格参考¥0.37-¥1.85。ON SemiconductorMMBZ18VALT1G封装/规格:TVS - 二极管, 25V Clamp 1.6A Ipp Tvs Diode Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBZ18VALT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ18VALT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBZ18VALT1G是一款表面贴装的齐纳型瞬态电压抑制(TVS)二极管,主要用于电路中的静电放电(ESD)保护和瞬态电压抑制。该器件具有18V的稳压值,响应速度快,能够有效吸收突发的高能量脉冲,广泛应用于对敏感电子元件进行过压保护。 典型应用场景包括:便携式消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑),用于保护数据接口(USB、HDMI、音频接口等)免受人体静电或操作过程中产生的瞬态电压冲击;通信设备中的信号线保护,如路由器、交换机等设备的I/O端口;工业控制系统的输入输出模块,防止因环境干扰或电源波动导致的电压尖峰损坏主控芯片;此外,也可用于汽车电子中的低功率信号线路保护,提升系统可靠性。 MMBZ18VALT1G采用SOD-323小型封装,节省空间,适合高密度PCB布局,同时具备良好的热稳定性和可靠性,工作温度范围宽(-55°C至+150°C),适用于严苛环境下的稳定运行。其低漏电流和高箝位效率确保在正常工作状态下不影响电路性能,而在异常电压出现时能迅速导通泄流,保障后级电路安全。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 14.5VWM 25VC SOT23TVS二极管阵列 15V 225mW Dual Common Anode |
| 产品分类 | |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,ON Semiconductor MMBZ18VALT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ18VALT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | TVS二极管阵列 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBZ18VALT1GOS |
| 击穿电压 | 17.1 V |
| 功率-峰值脉冲 | 40W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 尺寸 | 1.3 mm W x 2.9 mm L x 0.94 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 1.6 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 40 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 工作电压 | 14.5 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 17.1V |
| 电压-反向关态(典型值) | 14.5V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 25V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1.6A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | MMBZxxxALT1 |
| 通道 | 2 Channels |
| 钳位电压 | 25 V |