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BUK9Y3R0-40E,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9Y3R0-40E,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9Y3R0-40E,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK9Y3R0-40E,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 194W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载BUK9Y3R0-40E,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK9Y3R0-40E,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BUK9Y3R0-40E,115 是一款单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具体应用场景如下: 1. 电源管理 该器件广泛应用于各种电源管理系统中,如开关电源、DC-DC转换器和AC-DC适配器。其低导通电阻(Rds(on))特性使得它在高效率电源设计中表现出色,能够减少功率损耗,提高整体能效。 2. 电机驱动 BUK9Y3R0-40E,115 适用于小型电机驱动电路,例如步进电机、直流无刷电机等。它可以在高频下快速切换,确保电机运行平稳且高效,同时减少电磁干扰(EMI)。 3. 消费电子设备 在智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中,该MOSFET用于电池充电管理、负载开关和电源路径控制。它的紧凑封装(SOT227B)适合小型化设计,有助于节省空间并提高集成度。 4. 工业自动化 在工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器和机器人系统,这款MOSFET可以作为信号放大或开关元件使用,实现精确的电流控制和快速响应。 5. 汽车电子 尽管该器件不是专门为汽车级应用设计的,但在一些非关键车载电子模块中(如车窗升降器、座椅调节器等),它可以提供可靠的开关功能,并具备良好的温度稳定性和抗振能力。 6. LED照明 在LED驱动电路中,BUK9Y3R0-40E,115 可以用作恒流源或调光控制器的关键组件,确保LED灯亮度均匀且节能。 总之,BUK9Y3R0-40E,115 凭借其优异的电气性能和可靠性,在多个领域都有广泛应用,特别是在需要高效、快速切换和紧凑设计的应用场景中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAKMOSFET N-channel 40 V 3.0 mo FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9Y3R0-40E,115TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK9Y3R0-40E,115 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 194 W |
| Pd-功率耗散 | 194 W |
| Qg-GateCharge | 35.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 35.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.47 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.47 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
| 上升时间 | 44 ns |
| 下降时间 | 34 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5962pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.5 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-10979-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 53 ns |
| 功率-最大值 | 194W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK56-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
| 配置 | Triple Common Source |