ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI1077X-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI1077X-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1077X-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1077X-T1-GE3价格参考。VishaySI1077X-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 330mW（Ta） SC-89-6。您可以下载SI1077X-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1077X-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V SC89-6MOSFET 20V 78mOhm@4.5V 8A P-Ch |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 1.75 A |
| Id-连续漏极电流 | - 1.75 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1077X-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI1077X-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 0.33 W |
| Pd-功率耗散 | 330 mW |
| Qg-GateCharge | 20.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.4 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 965pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31.1nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 78 毫欧 @ 1.8A， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-89-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 330mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SC-89-6 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 10 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
