ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI1077X-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI1077X-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1077X-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1077X-T1-GE3价格参考。VishaySI1077X-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 330mW（Ta） SC-89-6。您可以下载SI1077X-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1077X-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI1077X-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该MOSFET适用于各种开关电源（如DC-DC转换器）和电压调节模块。由于其低导通电阻（Rds(on)），能够有效减少功率损耗，提高电源效率。 2. 负载开关：在便携式设备中，SI1077X-T1-GE3可用作负载开关，控制电路的通断状态，同时降低功耗并保护电路免受过流或短路的影响。 3. 电机驱动：用于小型直流电机的驱动控制，提供高效的开关性能和良好的热稳定性，适合消费电子、家用电器中的电机应用。 4. 电池保护：在电池管理系统中，此MOSFET可用于防止过充、过放以及短路等异常情况，确保电池安全运行。 5. 信号切换：在通信设备和其他电子产品中，作为高速信号切换元件，实现数据路径的选择与隔离。 6. 逆变器和太阳能系统：虽然主要用于较低功率的应用，但在一些微型逆变器或分布式能源系统中也可发挥作用，帮助优化能量转换效率。 总体而言，SI1077X-T1-GE3凭借其出色的电气特性和紧凑封装，非常适合需要高效能、小尺寸解决方案的各种电子设备和系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V SC89-6MOSFET 20V 78mOhm@4.5V 8A P-Ch |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 1.75 A |
| Id-连续漏极电流 | - 1.75 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1077X-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI1077X-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 0.33 W |
| Pd-功率耗散 | 330 mW |
| Qg-GateCharge | 20.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.4 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 965pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31.1nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 78 毫欧 @ 1.8A， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-89-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 330mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SC-89-6 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 10 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 配置 | Single |
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