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Datasheet下载- 型号： IRFHM831TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRFHM831TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHM831TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHM831TRPBF价格参考。International RectifierIRFHM831TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），40A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） PQFN（3x3）。您可以下载IRFHM831TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFHM831TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
英飞凌（Infineon Technologies）的型号为IRFHM831TRPBF的MOSFET属于功率场效应晶体管，常用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能，适用于多种电力电子应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器，用于笔记本电脑、服务器、通信设备等； 2. 电机控制：在电动工具、家用电器和工业自动化设备中用于控制电机的启停与调速； 3. 电池管理系统：应用于电动车、储能系统和便携设备中，实现充放电管理和能量高效利用； 4. 负载开关：作为高效电子开关，用于控制高功率负载的通断； 5. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块等，因其具备较高的可靠性和稳定性，适合严苛的汽车环境。 该MOSFET采用表面贴装封装，适合自动化生产，广泛用于高密度和高效率要求的电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 14A PQFNMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 7.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHM831TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFHM831TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 7.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 4.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1050pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.8 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（3x3） |
| 其它名称 | IRFHM831TRPBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 6.2 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 10.7 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 3X3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 7.3 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 82 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 14 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfhm831.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfhm831.spi |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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