Datasheet下载- 型号： IRF624SPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF624SPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF624SPBF价格参考。VishayIRF624SPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF624SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF624SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRF624SPBF 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效开关性能的电子电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能，适用于中高功率的开关应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等，用于高效能量转换和稳压控制。 2. 电机控制：在直流电机驱动器、步进电机控制器中作为功率开关，实现电机启停、调速和方向控制。 3. 负载开关：用于控制高功率负载的通断，如照明系统、加热元件、风扇等。 4. 逆变器与变频器：在小型逆变器、UPS（不间断电源）系统中作为核心开关元件，实现直流到交流的能量转换。 5. 电池管理系统：在电池充放电保护电路中用作开关，控制电流流向，防止过流与短路。 6. 工业自动化：广泛用于工业控制设备、PLC 模块、继电器替代方案等，提供快速、可靠的开关功能。 IRF624SPBF 采用 TO-220 封装，便于散热和安装，适用于通孔焊接工艺，适合中等功率应用场景。其工作温度范围宽，可靠性高，适合工业级使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAKMOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.4 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF624SPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF624SPBFIRF624SPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 260pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.1 欧姆 @ 2.6A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF624SPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.4A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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