ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF9Z34SPBF
Datasheet下载- 型号： IRF9Z34SPBF
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9Z34SPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9Z34SPBF价格参考。VishayIRF9Z34SPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF9Z34SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9Z34SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF9Z34SPBF 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该型号属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别，广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景中。以下是 IRF9Z34SPBF 的一些典型应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：用于控制电路中的电流流动，例如在便携式设备中实现快速开启/关闭功能。 - 低压降开关：由于其低导通电阻（Rds(on)），可以作为高效的开关元件，减少能量损耗。 - 电池管理系统：在电池供电设备中，用于保护电池免受过流或短路的影响。 2. 电机驱动与控制 - 小型直流电机控制：适用于玩具、风扇等低功率电机的启动、停止和速度调节。 - H桥电路：与其他 N 沟道 MOSFET 配合使用，实现双向电机控制。 3. 逆变器与转换器 - DC-DC 转换器：用作开关元件，帮助将输入电压转换为所需的输出电压。 - 太阳能逆变器：在小型光伏系统中，用于能量转换和管理。 4. 信号切换 - 音频信号切换：在音频设备中切换不同的信号源，同时保持低噪声性能。 - 数据线路切换：用于通信设备中切换不同的数据通道。 5. 保护电路 - 过流保护：利用其快速响应特性，在检测到过流时迅速切断电路。 - 短路保护：防止下游电路因短路而损坏。 6. 汽车电子 - 车灯控制：用于控制车内照明系统的开关。 - 传感器接口：作为传感器信号的开关或放大元件。 7. 消费电子产品 - USB 充电端口保护：防止过压或过流对设备造成损害。 - 家用电器控制：如电饭煲、加湿器等小家电中的功率控制。 IRF9Z34SPBF 的主要优势在于其高可靠性、低导通电阻以及出色的开关性能，使其成为许多低功率和中功率应用的理想选择。在设计过程中，需注意其最大工作电压（100V）、最大连续漏极电流（8A）及栅极驱动要求，以确保其在具体应用场景中的稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 18A D2PAKMOSFET P-Chan 60V 18 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF9Z34SPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9Z34SPBFIRF9Z34SPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
| Pd-功率耗散 | 3.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 140 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 120 ns |
| 下降时间 | 58 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 140 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRF9Z34SPBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 3.7W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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