图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： NTP6410ANG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTP6410ANG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTP6410ANG价格参考。ON SemiconductorNTP6410ANG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTP6410ANG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTP6410ANG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NTP6410ANG是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是该型号的应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：NTP6410ANG具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适合用于开关电源中的功率开关。 - 直流-直流转换器（DC-DC Converter）：可用于降压或升压转换器中的同步整流或主开关。 - 负载开关：在便携式设备中，用作高效的负载开关以控制电路的开启和关闭。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于玩具、风扇等小型电机的驱动和速度控制。 - H桥电路：在需要双向控制的小功率电机应用中，可作为H桥的一部分。 3. 电池管理系统（BMS） - 电池保护：用于锂电池或其他可充电电池的充放电保护电路中，防止过流、短路等问题。 - 电池切换：在多电池系统中，用作电池切换开关。 4. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于内部的电源管理和信号切换。 - 音频设备：在音频放大器中用作信号切换或保护开关。 - LED驱动：用于驱动中小功率LED灯，实现亮度调节和保护功能。 5. 工业自动化 - 传感器接口：用于工业传感器的信号切换和电源控制。 - 继电器替代：在需要快速响应和长寿命的场合，可以替代传统机械继电器。 6. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、雨刷器等小功率电机驱动。 - 车内照明：用于控制车内LED灯的开关和调光。 7. 通信设备 - 信号切换：在通信模块中用作信号路径的切换开关。 - 功率放大器保护：防止过载或短路对放大器造成损害。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：减少功耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用。 - 小型封装：节省PCB空间，适合紧凑型设计。 总之，NTP6410ANG凭借其高性能和可靠性，广泛应用于各种低功率、高效能需求的电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 76A TO-220MOSFET NFET TO220 100V 76A 13MOH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 76 A |
| Id-连续漏极电流 | 76 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTP6410ANG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTP6410ANG |
| Pd-PowerDissipation | 188 W |
| Pd-功率耗散 | 188 W |
| Qg-GateCharge | 120 nC |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 170 ns |
| 下降时间 | 190 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 76A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 120 ns |
| 功率-最大值 | 188W |
| 功率耗散 | 188 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 11 mOhms |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 120 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 40 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 76 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 76A （Tc） |
| 系列 | NTP6410AN |
| 配置 | Single |
.jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
