ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > BFG541,115
Datasheet下载- 型号： BFG541,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG541,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG541,115价格参考。NXP SemiconductorsBFG541,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 15V 120mA 9GHz 650mW Surface Mount SOT-223。您可以下载BFG541,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFG541,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT223射频双极晶体管 NPN 15V 9GHZ |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG541,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFG541,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 40mA，8V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-1984-2 |
| 功率-最大值 | 650mW |
| 功率耗散 | 650 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 9000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.12 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 120mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 0.12 A |
| 零件号别名 | BFG541 T/R |
| 频率 | 9000 MHz |
| 频率-跃迁 | 9GHz |
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