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Datasheet下载- 型号： IRFR5305TRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR5305TRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR5305TRLPBF价格参考￥1.92-￥2.09。International RectifierIRFR5305TRLPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 110W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR5305TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR5305TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFR5305TRLPBF 是一款P沟道功率MOSFET，属于晶体管中的FET/MOSFET类别。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和良好的热稳定性，适用于中等功率开关应用。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、同步整流电路及电压调节模块（VRM），提升电源转换效率。 2. 负载开关：在电池供电设备中作为高端或低端开关，控制电源通断，防止反向电流，保护系统。 3. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，实现正反转与制动控制。 4. 消费电子：常见于笔记本电脑、平板、智能手机等便携设备的电源管理系统中，支持节能运行。 5. 工业控制：用于继电器驱动、LED驱动电源和工业传感器供电模块，具备高可靠性和耐用性。 IRFR5305TRLPBF采用TO-252（DPAK）封装，便于散热和PCB安装，适合自动化生产。其无铅设计符合RoHS环保标准，适用于对环境要求较高的产品。由于其P沟道特性，在栅极电压为0时导通，逻辑控制简便，常用于低边或高边开关配置。总体而言，该MOSFET在需要高效、紧凑和可靠开关性能的低压、中等电流应用中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 31A DPAKMOSFET MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 31 A |
| Id-连续漏极电流 | - 31 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR5305TRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR5305TRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 42 nC |
| Qg-栅极电荷 | 42 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 66 ns |
| 下降时间 | 63 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRFR5305TRLPBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 功率耗散 | 110 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 65 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 42 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 55 V |
| 漏极连续电流 | - 31 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr5305.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr5305.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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