【未分类_IRFH5015TRPBF】封装/厂家_IRFH5015TRPBF中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IRFH5015TRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5015TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5015TRPBF价格参考￥4.23-￥4.56。International RectifierIRFH5015TRPBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRFH5015TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH5015TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFH5015TRPBF是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
   - IRFH5015TRPBF适用于各种开关电源（SMPS）设计，如AC-DC转换器、DC-DC转换器和稳压器。
   - 它的低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高效能电源管理应用中表现出色，能够减少功率损耗并提高效率。

 2. 电机驱动
   - 该型号可用于小型直流电机或无刷直流电机（BLDC）的驱动电路中，适合家用电器、电动工具和工业自动化设备。
   - 其快速开关速度和低功耗特点有助于实现精确控制和高效率运行。

 3. 电池管理系统（BMS）
   - 在锂电池或其他可充电电池的保护电路中，IRFH5015TRPBF可以用作充放电控制开关，确保电池的安全性和稳定性。
   - 它还适用于电动汽车（EV）或混合动力汽车（HEV）中的电池管理模块。

 4. 消费电子
   - 广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的充电和电源管理模块。
   - 也可用于音频放大器、LED驱动器和其他需要高效开关元件的消费类电子产品。

 5. 通信设备
   - 在基站、路由器、交换机等通信设备中，作为功率级开关元件使用，支持高效的数据传输和信号处理。
   - 适用于电信基础设施中的电源模块设计。

 6. 工业自动化
   - 可用于工业控制系统的负载切换、继电器替代以及传感器接口电路。
   - 在机器人技术中，该器件可用作伺服电机驱动器的一部分，提供精准的速度和位置控制。

 7. 新能源领域
   - 在太阳能逆变器、风力发电系统等新能源应用中，IRFH5015TRPBF可以作为关键的功率开关元件，帮助实现能量转换和分配。

总结来说，IRFH5015TRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种需要高效功率转换和控制的应用场景，尤其是在对能耗要求严格的现代电子设备中表现突出。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFNMOSFET 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	10 A
Id-连续漏极电流	10 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5015TRPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFH5015TRPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	3.6 W
Pd-功率耗散	3.6 W
Qg-GateCharge	36 nC
Qg-栅极电荷	36 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	31 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	31 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	150 V
Vds-漏源极击穿电压	150 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V to 5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V to 5 V
上升时间	9.7 ns
下降时间	3.4 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2300pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	50nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	31 毫欧 @ 34A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PQFN（5x6）单芯片焊盘
典型关闭延迟时间	14 ns
功率-最大值	3.6W
包装	带卷（TR）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	31 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-VQFN
封装/箱体	PQFN-8
工厂包装数量	4000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	4,000
正向跨导-最小值	38 S
汲极/源极击穿电压	150 V
漏极连续电流	10 A
漏源极电压(Vdss)	150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	10A （Ta）， 56A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single