Datasheet下载- 型号： SI7802DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7802DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7802DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7802DN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7802DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7802DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7802DN-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性，适用于需要高效能与稳定性的电子系统。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、电源开关及电池供电设备中的功率控制。 2. 负载开关：在服务器、通信设备和工业控制系统中作为高侧或低侧开关使用。 3. 马达驱动：用于小型电机控制电路中，实现高效的开关控制。 4. 保护电路：如过流保护、电压反接保护等场合。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板、智能家电等对空间与效率要求较高的设备中作为功率元件。 其封装形式为 8-SOIC，适合表面贴装，便于自动化生产。由于其良好的性能与可靠性，SI7802DN-T1-GE3 在工业、通信及消费类应用中广泛受到采用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8MOSFET 250V 1.95A 3.8W 435mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 1.24 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73133 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7802DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7802DN-T1-GE3SI7802DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 435 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 435 毫欧 @ 1.95A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7802DN-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 435 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 250 V |
| 漏极连续电流 | 1.24 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.24A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7802DN-GE3 |
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