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  • 型号: IRLR3110ZTRLPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3110ZTRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3110ZTRLPBF价格参考。International RectifierIRLR3110ZTRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR3110ZTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR3110ZTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 100V 42A DPAKMOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

63 A

Id-连续漏极电流

63 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR3110ZTRLPBFHEXFET®

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产品型号

IRLR3110ZTRLPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

140 W

Pd-功率耗散

140 W

Qg-GateCharge

48 nC

Qg-栅极电荷

48 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

14 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

14 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.5 V

上升时间

110 ns

下降时间

48 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3980pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

48nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14 毫欧 @ 38A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

功率-最大值

140W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

标准包装

6,000

正向跨导-最小值

52 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

42A (Tc)

配置

Single

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