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Datasheet下载- 型号： FDMC86102
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC86102由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC86102价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC86102封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 7A（Ta），20A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33。您可以下载FDMC86102参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMC86102 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的FDMC86102是一款N沟道功率MOSFET，属于高性能单MOSFET器件，广泛应用于需要高效能、低导通电阻和高开关速度的电源管理系统中。 该器件典型应用场景包括：笔记本电脑和平板电脑中的电源管理单元（PMU）、DC-DC转换器、负载开关以及电池电源切换电路。由于其低RDS(on)特性，有助于减少导通损耗，提高系统效率，特别适用于便携式设备以延长电池续航时间。 此外，FDMC86102也常用于服务器和通信设备中的同步整流、电压调节模块（VRM）以及热插拔电源控制。其高电流承载能力和优良的热性能使其在紧凑型高密度电源设计中表现出色。 在消费类电子产品中，如智能手机、USB电源开关和LED驱动电路，FDMC86102凭借小封装（如PowerTSSOP-8或类似）和高集成度优势，支持小型化设计并提升整体能效。 综上所述，FDMC86102适用于各类中低电压、高效率的开关电源应用，尤其适合对空间和功耗敏感的现代电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 8-MLPMOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC86102PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMC86102 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.3 W |
| Pd-功率耗散 | 2.3 W |
| Qg-GateCharge | 8 nC, 13 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8 nC, 13 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 32.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 32.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4 ns |
| 下降时间 | 4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 965pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 7A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 其它名称 | FDMC86102-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 32.130 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | MLP-8 3.3X3.3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 19 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Ta）， 20A （Tc） |
| 系列 | FDMC86102 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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