ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > FDS4935A
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Datasheet下载- 型号： FDS4935A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS4935A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS4935A价格参考￥2.74-￥2.74。Fairchild SemiconductorFDS4935A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 7A 900mW 表面贴装 8-SO。您可以下载FDS4935A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS4935A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的FDS4935A是一款双N沟道MOSFET阵列，采用微型6引脚WDFN封装，具有低导通电阻和高开关效率，适用于空间受限且对功耗敏感的应用场景。 该器件主要应用于便携式电子设备中的电源管理和负载开关控制。常见使用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备（如智能手表）中的电池管理、LCD背光驱动或摄像头模块供电控制。其低栅极电荷和快速开关特性使其适合高频DC-DC转换电路，用于提升电源转换效率。 此外，FDS4935A也广泛用于热插拔电路和电机驱动中的小功率开关应用，例如USB电源开关或传感器电源控制。由于具备良好的热稳定性和可靠性，该器件可在工业便携设备及消费类电子产品中实现高效、紧凑的功率控制解决方案。 综上，FDS4935A凭借其小型化封装、低功耗特性和高可靠性，特别适用于高密度、低电压、低电流的开关与电源管理场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CHAN 30V 7A 8SOICMOSFET -30V Dual |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS4935APowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS4935A |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1233pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS4935ADKR |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 19 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A |
| 系列 | FDS4935 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | FDS4935A_NL |
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