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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD4804NT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD4804NT4G价格参考。ON SemiconductorNVD4804NT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVD4804NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVD4804NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVD4804NT4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和功率控制应用。其主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,适用于高效能、小体积的电源设计; 2. 电机驱动:可用于直流电机或步进电机的控制电路中,实现快速开关和高效能运行; 3. 负载开关:作为高边或低边开关控制负载的通断,常见于工业控制、自动化设备中; 4. 电池管理系统:在电动车、储能系统或锂电池保护板中用于充放电控制; 5. 照明系统:如LED驱动电路,支持调光与高效能电流控制; 6. 汽车电子:由于其具有较高的可靠性和耐压能力,适用于车载电源系统及辅助设备。 该器件具备低导通电阻、高耐压和良好热性能,适合高频开关应用,广泛应用于工业、汽车及消费类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 14A DPAKMOSFET POWER MOSFET 30V 117A 4 M |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 19.6 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVD4804NT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NVD4804NT4G |
| Pd-PowerDissipation | 2.66 W |
| Pd-功率耗散 | 2.66 W |
| Qg-GateCharge | 30 nC |
| Qg-栅极电荷 | 30 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4490pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4 毫欧 @ 30A,11.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | NVD4804NT4GOSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 1.43W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 14.5A (Ta), 124A (Tc) |
| 系列 | NTD4804N |
| 配置 | Single |