Datasheet下载- 型号： IRL1004PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL1004PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL1004PBF价格参考。International RectifierIRL1004PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRL1004PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL1004PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRL1004PBF的MOSFET，属于N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效、低导通电阻和高电流能力的场合。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池充电器，因其低导通电阻（Rds(on)）可减少功率损耗，提高效率。 2. 电机控制：常用于直流电机驱动器、电动工具和电动车控制系统中，具备高电流承载能力，适合频繁开关操作。 3. 负载开关与继电器替代：用于工业自动化设备中的固态开关，替代传统机械继电器，提高可靠性和寿命。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和逆变器中用于电能转换，具备快速开关特性，有助于提高系统响应速度。 5. 汽车电子：适用于汽车电源系统、车灯控制、电动窗等车载应用，符合AEC-Q101汽车级标准。 6. 消费电子产品：如大功率LED驱动、智能家电中的功率控制模块。 该器件采用TO-220封装，易于散热和安装，适合中高功率应用场景。其低栅极电荷和高耐压（100V）特性使其在高频开关应用中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 130A TO-220ABMOSFET MOSFT 130A 66.7nC 6.5mOhm LogLvAB |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 130 A |
| Id-连续漏极电流 | 130 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL1004PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRL1004PBF |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 66.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 66.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 毫欧 @ 78A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRL1004PBF |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 130A （Tc） |
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