Datasheet下载- 型号： IRF8113TR
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF8113TR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF8113TR价格参考。International RectifierIRF8113TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF8113TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF8113TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF8113TR 是一款N沟道功率MOSFET，属于场效应晶体管（FET）类别。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适用于高效率电源转换和功率控制场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源适配器中，实现高效电能转换，尤其适用于中低功率电源系统。 2. 电机驱动：在电动工具、家用电器和工业控制设备中，作为直流电机或步进电机的驱动开关元件，提供快速响应和低功耗控制。 3. 照明系统：用于LED驱动电源，支持恒流输出与调光功能，提升照明系统的能效与可靠性。 4. 消费电子：常见于笔记本电脑、显示器、打印机等设备的内部电源模块中，满足小型化和高能效的设计需求。 5. 电池管理系统：在便携式设备和储能系统中，用于电池充放电控制电路，起到开关和保护作用。 IRF8113TR采用表面贴装封装（如TO-252），便于自动化生产，同时具备良好的散热性能。其高可靠性和稳定性使其在工业、消费类及汽车辅助系统中均有广泛应用。总体而言，该MOSFET适合需要高效、紧凑且稳定功率开关的中低功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF8113TR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2910pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.6 毫欧 @ 17.2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17.2A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf8113.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf8113.spi |
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