Datasheet下载- 型号： FDMA510PZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA510PZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA510PZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA510PZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDMA510PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMA510PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMA510PZ 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 电源管理： FDMA510PZ 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）。它能够高效地控制电流流动，降低功率损耗。 2. 电机驱动： 该器件适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，特别是在需要高频开关的应用中。其快速开关速度和低功耗特点有助于提高电机驱动效率。 3. 负载开关： 在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑等）中，FDMA510PZ 可用作负载开关，实现对不同负载的动态供电管理，从而延长电池寿命。 4. 电池保护： 该 MOSFET 可用于锂电池或其他可充电电池组的过流保护和短路保护电路中，确保电池在安全范围内工作。 5. 汽车电子： FDMA510PZ 具备较高的电流处理能力和耐热性能，适合应用于汽车电子系统中的各种开关功能，例如车窗升降器、雨刷控制器或照明控制。 6. 信号切换： 在通信设备或数据传输系统中，它可以作为信号切换元件，用于多路复用器或解复用器的设计。 7. LED 驱动： 对于高亮度 LED 照明应用，该 MOSFET 能够提供稳定的电流控制，支持高效的亮度调节（PWM 调光）。 总之，FDMA510PZ 凭借其优异的电气特性和可靠性，在消费电子、工业自动化、汽车电子以及通信领域有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFETMOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA510PZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMA510PZ |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.4 W |
| Pd-功率耗散 | 2.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 64 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1480pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 7.8A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | MicroFET 2x2 |
| 其它名称 | FDMA510PZCT |
| 典型关闭延迟时间 | 125 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | MicroFET-6 2x2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.8A （Ta） |
| 系列 | FDMA510PZ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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