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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI840GLCPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI840GLCPBF价格参考。VishayIRFI840GLCPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFI840GLCPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFI840GLCPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRFI840GLCPBF 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,常用于需要高效、高频率开关性能的应用场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等,适用于高效能、小型化的电源设计。 2. 电机控制:用于电机驱动器、电动工具、电动车控制器等,具备高电流承载能力和快速开关特性。 3. 照明系统:包括 LED 驱动电源、HID 灯镇流器等,适合高频调光和高效能转换应用。 4. 工业自动化:用于工业控制设备、PLC、继电器替代电路和负载开关,具备高可靠性和耐用性。 5. 消费电子产品:如笔记本电脑、游戏机、充电器等内部电源管理模块。 6. 汽车电子:适用于车载电源系统、电机控制、电池管理系统(BMS)等对可靠性要求高的环境。 该器件采用 TO-252(DPAK)封装,适合表面贴装,具有良好的热性能和较低的导通电阻,适用于中高功率应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220FPMOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFI840GLCPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFI840GLCPBFIRFI840GLCPBF |
Pd-PowerDissipation | 40 W |
Pd-功率耗散 | 40 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 850 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 850 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 25 ns |
下降时间 | 19 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 850 毫欧 @ 2.7A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | *IRFI840GLCPBF |
典型关闭延迟时间 | 27 ns |
功率-最大值 | 40W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.5A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |