ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 2SJ377(TE16R1,NQ)
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Datasheet下载- 型号： 2SJ377(TE16R1,NQ)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SJ377(TE16R1,NQ)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SJ377(TE16R1,NQ)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SJ377(TE16R1,NQ)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 5A（Ta） 20W（Tc） PW-MOLD。您可以下载2SJ377(TE16R1,NQ)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SJ377(TE16R1,NQ) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba半导体与存储出品的2SJ377(TE16R1,NQ)是一款P沟道MOSFET晶体管，属于功率场效应管，常用于开关和功率控制应用。该器件具有较高的耐压和低导通电阻特性，适用于需要高效能电源管理的场景。 典型应用场景包括：电源管理系统中的负载开关、电池供电设备的反向电流保护、DC-DC转换器中的同步整流或开关元件、电机驱动电路中的低边或高边开关，以及各类消费类电子产品（如家电控制板、充电器、适配器）中的电源控制模块。由于其封装小型化（如SOT-23），适合空间受限的高密度电路设计。 此外，2SJ377也常用于工业控制设备、照明电源和小型电子设备中，实现高效的电平切换和功耗优化。其稳定的性能和可靠性使其在中低功率应用中广受欢迎。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | 2SJ377(TE16R1,NQ) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 630pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PW-MOLD |
| 其它名称 | 2SJ377NQDKR |
| 功率-最大值 | 20W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A（Ta） |
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