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Datasheet下载- 型号： STW34NM60ND
- 制造商： STMicroelectronics
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STW34NM60ND产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW34NM60ND由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW34NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTW34NM60ND封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 29A（Tc） 190W（Tc） TO-247。您可以下载STW34NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW34NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW34NM60ND是一款N沟道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要应用于需要高效功率转换和控制的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：该MOSFET适用于各种电源管理系统，如开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC）等。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以有效降低功耗，提高转换效率。 2. 电机驱动：在电机控制系统中，STW34NM60ND可用于驱动无刷直流电机（BLDC）、步进电机等。它能够快速响应并精确控制电流，确保电机运行稳定且高效。 3. 太阳能逆变器：用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，供家庭或电网使用。MOSFET的高开关频率和低损耗特性有助于提高逆变器的整体效率。 4. 工业自动化：在工业控制系统中，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等设备中，该MOSFET可用于信号隔离、负载切换等功能，确保系统可靠运行。 5. 汽车电子：适用于车载电子设备，如电动助力转向系统（EPS）、车身控制模块（BCM）等。其坚固耐用的设计能够承受严苛的工作环境，并提供可靠的性能。 6. 消费电子产品：在笔记本电脑适配器、智能手机充电器等消费类电子产品中，STW34NM60ND可用于实现高效的电源管理和保护功能。 总之，STW34NM60ND凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于各类需要高效功率控制和转换的领域，特别是在要求高效率、低损耗的应用场合表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 29A TO-247MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 29 A |
| Id-连续漏极电流 | 29 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW34NM60NDFDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW34NM60ND |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2785pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 14.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-11366-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251165?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 210W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 29A （Tc） |
| 系列 | STW34NM60ND |
| 配置 | Single |
