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IRF630STRLPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF630STRLPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF630STRLPBF价格参考。VishayIRF630STRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D²PAK(TO-263)。您可以下载IRF630STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF630STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRF630STRLPBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS):IRF630STRLPBF具有较高的电压耐受能力(最大漏源极电压为500V),适用于开关电源中的高频开关应用,例如降压、升压或反激式转换器。 2. 电机驱动:该器件适合用于低功率直流电机驱动电路,可作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 逆变器:在小型逆变器中,IRF630STRLPBF可以用作功率开关,将直流电转换为交流电,适用于太阳能微逆变器或其他便携式逆变设备。 4. 负载开关:由于其较低的导通电阻(典型值为0.45Ω),可以高效地用作负载开关,控制电路中不同负载的通断。 5. 继电器替代:在需要快速切换的应用中,该MOSFET可以替代传统机械继电器,提供更长寿命和更快响应时间。 6. 保护电路:可用于过流保护、短路保护等电路设计中,通过快速关断电流路径来保护系统免受损害。 7. 音频功放:在某些D类音频放大器中,这款MOSFET可用作输出级开关元件,实现高效的信号放大。 8. 照明控制:适用于LED灯或荧光灯的调光控制电路,提供精确的亮度调节功能。 需要注意的是,在实际应用中应根据具体工作条件选择合适的散热方案,并确保栅极驱动电压处于安全范围(通常为10V左右以达到最佳性能)。此外,考虑到其较高的电压额定值和适中的电流承载能力,该器件更适合中低功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF630STRLPBF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 400 毫欧 @ 5.4A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | IRF630STRLPBFDKR |
功率-最大值 | 3W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Tc) |