Datasheet下载- 型号： FDS8840NZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS8840NZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS8840NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDS8840NZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS8840NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS8840NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS8840NZ 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它广泛应用于各种电子设备中，尤其适合需要高效开关和低功耗的场景。以下是 FDS8840NZ 的主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：FDS8840NZ 的低导通电阻（Rds(on)）使其非常适合用于 DC-DC 转换器中的开关元件，以提高效率并减少功率损耗。 - 负载开关：在便携式设备中，该 MOSFET 可用作负载开关，控制电路的通断，从而实现节能和保护功能。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：FDS8840NZ 可用于驱动小型直流电机，例如玩具、风扇或家用电器中的电机。其快速开关特性和低导通电阻有助于降低电机运行时的能耗。 - H 桥电路：在 H 桥电路中，FDS8840NZ 可作为开关元件之一，用于实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护：在锂电池或其他可充电电池组中，FDS8840NZ 可用于保护电路，防止过充、过放、短路等异常情况。 - 电流检测与控制：通过精确控制电流流动，该 MOSFET 可帮助优化电池的充放电过程。 4. 消费类电子产品 - 手机和平板电脑：在这些设备中，FDS8840NZ 可用于电源管理模块，确保高效的能量转换和分配。 - USB 充电接口：作为 USB 充电路径中的开关，FDS8840NZ 可提供快速充电功能，并支持多种输入电压。 5. 信号切换 - 在音频设备、传感器接口和其他信号处理应用中，FDS8840NZ 可用作信号切换元件，实现多路信号的选择和传输。 6. 照明系统 - LED 驱动：FDS8840NZ 可用于 LED 照明系统的驱动电路中，提供稳定的电流输出，同时支持调光功能。 特性总结 FDS8840NZ 的典型特性包括： - 低导通电阻：典型值为 7.5 mΩ（Vgs = 10V），可显著降低功耗。 - 高开关速度：适用于高频应用。 - 低栅极电荷：减少开关损耗。 - 耐压能力：最大漏源电压为 30V，适合低压系统。 综上所述，FDS8840NZ 凭借其高性能和可靠性，成为许多低功率、高效能应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 18.6A 8-SOICMOSFET PT4 Nch with Zener |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 18.6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS8840NZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS8840NZ |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7535pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 144nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 18.6A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS8840NZDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 57 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 18.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18.6A （Ta） |
| 系列 | FDS8840 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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