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  • 型号: MMBD352LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBD352LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBD352LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBD352LT1G封装/规格:二极管 - 射频, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 7V 225mW SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBD352LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBD352LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23整流器 7V 225mW Dual

产品分类

RF 二极管分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,整流器,ON Semiconductor MMBD352LT1G-

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产品型号

MMBD352LT1G

PCN设计/规格

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不同 If、F时的电阻

-

不同 Vr、F时的电容

1pF @ 0V,1MHz

二极管类型

肖特基 - 1 对串联

产品

Standard Recovery Rectifiers

产品目录页面

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产品种类

整流器

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBD352LT1GOSCT

功率耗散(最大值)

225mW

包装

剪切带 (CT)

反向电压

7 V

反向电流IR

10 uA

商标

ON Semiconductor

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向电压下降

0.6 V at 0.01 A

电压-峰值反向(最大值)

7V

电流-最大值

-

系列

MMBD352L

配置

Dual

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