Datasheet下载- 型号： MMBD352LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBD352LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBD352LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBD352LT1G封装/规格：二极管 - 射频， RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 7V 225mW SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBD352LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBD352LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBD352LT1G是一款表面贴装硅PIN二极管，属于射频二极管类别。该器件广泛应用于高频、小信号场合，凭借其快速开关特性、低结电容和高可靠性，在各类射频电路中表现出色。 典型应用场景包括：手机、平板电脑、无线路由器等移动通信设备中的射频开关电路，用于切换不同频段或信号路径；在天线调谐系统中实现阻抗匹配与天线切换功能；还可用于射频衰减器、限幅器及保护电路，防止敏感射频元件受到高功率信号冲击。此外，因其优异的高频响应性能，也常见于GPS模块、蓝牙和Wi-Fi等无线连接模块中，支持多频段信号处理。 MMBD352LT1G采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，满足现代便携式电子设备对小型化和高性能的需求。同时，该型号为无铅环保产品（符合RoHS标准），适用于注重环保要求的工业和消费类电子产品。 综上，MMBD352LT1G主要适用于移动通信、无线基础设施、消费类电子中的射频信号控制与保护场景，是高频电路设计中可靠的基础元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23整流器 7V 225mW Dual |
| 产品分类 | RF 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,整流器,ON Semiconductor MMBD352LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBD352LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 If、F时的电阻 | - |
| 不同 Vr、F时的电容 | 1pF @ 0V，1MHz |
| 二极管类型 | 肖特基 - 1 对串联 |
| 产品 | Standard Recovery Rectifiers |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 整流器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBD352LT1GOSCT |
| 功率耗散（最大值） | 225mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向电压 | 7 V |
| 反向电流IR | 10 uA |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.6 V at 0.01 A |
| 电压-峰值反向（最大值） | 7V |
| 电流-最大值 | - |
| 系列 | MMBD352L |
| 配置 | Dual |
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