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产品简介:
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NTMFS4939NT3G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括: 1. 电源管理: NTMFS4939NT3G 适用于各种电源管理电路,例如 DC-DC 转换器、开关模式电源(SMPS)、降压/升压转换器等。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率。 2. 电机驱动: 在小型电机控制中,该 MOSFET 可用作开关元件,用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关能力和低功耗适合驱动直流电机或步进电机。 3. 负载开关: 在消费电子设备中,NTMFS4939NT3G 常被用作负载开关,以实现对不同负载的动态供电管理。它能够快速响应负载变化,并保持较低的热损耗。 4. 电池保护与管理系统: 该器件适用于锂离子电池或其他可充电电池组的保护电路,提供过流保护、短路保护和欠压锁定功能。其低导通电阻有助于降低电池放电时的电压降。 5. 信号切换: 在通信和音频设备中,NTMFS4939NT3G 可用于信号切换电路,以隔离或选择不同的信号路径。其高频率性能支持高速数据传输应用。 6. 汽车电子: 由于其可靠的电气特性和耐高温能力,NTMFS4939NT3G 也可应用于汽车电子系统中,如车载充电器、LED 照明驱动和辅助电源模块。 7. 消费类电子产品: 包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器以及便携式设备中的电源管理单元,NTMFS4939NT3G 的紧凑封装和高效性能非常适合这些场景。 总之,NTMFS4939NT3G 凭借其出色的电气参数和耐用性,在需要高效能、小体积和低成本解决方案的应用中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 9.3A SO8 FLMOSFET NFET SO8FL 30V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 53 A |
Id-连续漏极电流 | 53 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4939NT3G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTMFS4939NT3G |
Pd-PowerDissipation | 2.58 W |
Pd-功率耗散 | 2.58 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1954pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.5 毫欧 @ 30A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6) |
功率-最大值 | 920mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘(5 根引线) |
封装/箱体 | SO-8FL |
工厂包装数量 | 5000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 5,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.3A (Ta), 53A (Tc) |
系列 | NTMFS4939N |
配置 | Single |