Datasheet下载- 型号： SI4833ADY-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4833ADY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4833ADY-T1-E3价格参考。VishaySI4833ADY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4833ADY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4833ADY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4833ADY-T1-E3 是一款N沟道增强型MOSFET，属于表面贴装功率晶体管，广泛应用于需要高效、低导通电阻和小尺寸封装的电源管理场景。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于该器件采用小型TSSOP-8封装，具有低高度和高集成度，适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等对空间敏感的便携设备中的电源开关与负载管理。 2. 电源转换系统：常用于DC-DC转换器、同步整流电路中，作为高边或低边开关，提升转换效率，降低功耗，尤其适合电池供电系统中的升压或降压模块。 3. 电机驱动与LED驱动：在小型电机控制和高亮度LED调光电路中，SI4833ADY凭借其快速开关特性和低RDS(on)，可实现精准控制与高效能量传输。 4. 热插拔与电源管理：可用于电源热插拔控制器中的通断开关，防止电流浪涌，保护后级电路。 5. 消费类电子产品与工业控制：如家用电器、智能仪表、电源适配器等，用于实现高效的电压调节和负载切换。 该MOSFET具备低栅极电荷、低导通电阻（典型值约12mΩ）和良好的热稳定性，支持高效率、低发热运行，非常适合高频开关和节能设计需求。综合来看，SI4833ADY-T1-E3是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种中低功率电源管理应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOICMOSFET 30 Volt 4.6 Amp 2.75 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.85 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.85 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4833ADY-T1-E3LITTLE FOOT® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4833ADY-T1-E3SI4833ADY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.93 W |
| Pd-功率耗散 | 1.93 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 72 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 72 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 59 ns, 11 ns |
| 下降时间 | 59 ns, 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 72 毫欧 @ 3.6A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4833ADY-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns, 19 ns |
| 功率-最大值 | 2.75W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 72 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 3.85 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.6A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single with Schottky Diode |
| 零件号别名 | SI4833ADY-E3 |
(SN).jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
