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  • 型号: STW55NM60ND
  • 制造商: STMicroelectronics
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STW55NM60ND产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STW55NM60ND由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW55NM60ND价格参考¥77.73-¥77.73。STMicroelectronicsSTW55NM60ND封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 51A(Tc) 350W(Tc) TO-247-3。您可以下载STW55NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW55NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STW55NM60ND是一款N沟道MOSFET晶体管,其主要应用场景包括但不限于以下领域:

1. 开关电源(SMPS):该器件适合用于开关模式电源中的高频开关应用。其低导通电阻和快速开关特性使其能够高效地控制电流流动,减少能量损耗。

2. 电机驱动:可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为功率开关来控制电机的启停、速度和方向。

3. 电池管理:在电池保护电路中,STW55NM60ND可以用作充电/放电路径上的开关,确保过流保护及防止反向电流。

4. DC-DC转换器:适用于降压或升压型DC-DC转换器,提供高效的电压转换功能,满足便携式设备对电源管理的需求。

5. 逆变器:在小型逆变器设计中,这款MOSFET可以用来构建H桥或其他拓扑结构,实现交流信号生成。

6. 负载切换:用于各种电子系统中的负载切换功能,例如USB充电器、汽车电子等场合下的动态负载管理。

7. 续流二极管替代:在某些电路中可代替传统二极管用作同步整流元件,从而降低功耗并提高效率。

由于其耐压高达600V且具有良好的热性能,STW55NM60ND特别适合需要较高电压等级但同时追求高效能表现的应用环境。此外,它还具备优异的雪崩能力,增强了系统的可靠性和安全性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 51A TO-247MOSFET N-channel 600 V FDMesh

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

51 A

Id-连续漏极电流

51 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW55NM60NDFDmesh™ II

数据手册

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产品型号

STW55NM60ND

Pd-PowerDissipation

350 W

Pd-功率耗散

350 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

60 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

60 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

68 ns

下降时间

96 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5800pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

190nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

60 毫欧 @ 25.5A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

497-7036-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF202034?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

188 ns

功率-最大值

350W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

600

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

51A (Tc)

系列

STW55NM60ND

通道模式

Enhancement

配置

Single

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