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  • 型号: ZVN4424GTA
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN4424GTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN4424GTA价格参考。Diodes Inc.ZVN4424GTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZVN4424GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZVN4424GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated品牌的ZVN4424GTA是一款N沟道增强型MOSFET,其应用场景主要包括以下几个方面:

1. 电源管理:ZVN4424GTA适用于各种电源管理电路,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和线性稳压器。由于其低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功耗并提高效率。

2. 电机驱动:该器件适合用于小型直流电机或步进电机的驱动控制。通过PWM信号调节电机速度和方向,广泛应用于消费电子、家用电器及玩具等领域。

3. 负载开关:在便携式设备中,如智能手机、平板电脑等,用作负载开关以实现快速开启/关闭功能,同时减少静态电流消耗。

4. 电池保护:可用于锂电池保护电路中,防止过充、过放以及短路现象发生,确保电池安全使用。

5. 信号切换:作为模拟开关或数字信号切换元件,在音频切换、数据通信接口等方面发挥作用。

6. 背光驱动:支持LED背光驱动应用,比如LCD显示屏中的亮度调节功能。

7. 汽车电子系统:尽管主要定位为消费类电子产品,但在某些非关键任务的车载辅助系统中也可能被采用,例如车内照明控制、传感器接口等。

总之,凭借其出色的性能参数和可靠性,ZVN4424GTA成为众多低功率应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223MOSFET N-Chnl 240V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

500 mA

Id-连续漏极电流

500 mA

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN4424GTA-

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产品型号

ZVN4424GTA

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

6 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

6 Ohms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

240 V

Vds-漏源极击穿电压

240 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 40 V

Vgs-栅源极击穿电压

40 V

上升时间

5 ns

下降时间

16 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.8V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

200pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.5 欧姆 @ 500mA,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-223

其它名称

ZVN4424G
ZVN4424GCT

其它图纸

典型关闭延迟时间

40 ns

功率-最大值

2.5W

包装

剪切带 (CT)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

240V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

500mA (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

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