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产品简介:
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FQD2N60CTF_F080 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - FQD2N60CTF_F080 的高电压耐受能力(600V)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。 - 它可以作为主开关管,在 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器或 PFC(功率因数校正)电路中使用。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,特别是在需要高电压驱动的场景下。 - 其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高效率。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,FQD2N60CTF_F080 可以用作功率开关,将直流电转换为交流电。 - 其快速开关特性适合高频逆变器设计。 4. 负载开关 - 该器件可以用作负载开关,控制高电压设备的通断,例如 LED 照明系统或工业设备。 - 其低导通电阻能够降低开关过程中的能量损失。 5. 保护电路 - 在过流保护、短路保护等电路中,FQD2N60CTF_F080 可以充当电子开关,快速切断异常电流路径,保护系统免受损坏。 6. 汽车电子 - 由于其高耐压和可靠性,这款 MOSFET 适用于汽车电子领域,如电动车窗、雨刷控制系统或车载充电器。 - 在这些应用中,它能够承受汽车电气系统的瞬态高压。 7. 家电控制 - 在家用电器中,如空调压缩机、洗衣机泵或风扇控制电路中,该 MOSFET 可以实现高效的功率控制。 总结 FQD2N60CTF_F080 的高耐压(600V)、低导通电阻和快速开关性能,使其成为高压、高频应用场景的理想选择。无论是工业设备、消费电子产品还是汽车电子,它都能提供高效、可靠的功率控制解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQD2N60CTF_F080 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 235pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.7 欧姆 @ 950mA,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,000 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.9A (Tc) |