ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 2N7002E-7-F
Datasheet下载- 型号： 2N7002E-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002E-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002E-7-F价格参考￥0.15-￥0.15。Diodes Inc.2N7002E-7-F封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 250mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载2N7002E-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002E-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N7002E-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于小信号MOSFET类别。该器件广泛应用于低电压、低功率开关场景中。 其典型应用场景包括：便携式电子设备中的电源管理开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电池切换；在LED驱动电路中作为开关控制LED的亮灭；用于各类消费类电子产品中的信号切换和逻辑控制；在微控制器与高电流负载之间作为接口驱动元件，实现I/O口的电平转换与功率放大。 此外，2N7002E-7-F 因具备良好的开关特性、低导通电阻（RDS(on)）和较小封装（SOT-23），非常适合空间受限的高密度PCB设计。它也常用于电机驱动、继电器驱动、DC-DC转换器中的同步整流等中小功率电源应用。 由于其最大耐压为60V，连续漏极电流可达300mA，适合工作在低至中等功率环境，且具有较高的可靠性和稳定性，因此在工业控制、通信模块、家用电器和汽车电子中的辅助电路中也有广泛应用。 总之，2N7002E-7-F 是一款性价比高、通用性强的小信号MOSFET，适用于多种需要高效、小型化开关元件的电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3MOSFET N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 240 mA |
| Id-连续漏极电流 | 250 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 过渡期间无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated 2N7002E-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002E-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 300 mW |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3000 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.22nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 250mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | 2N7002E-7-F-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 370mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 250mA（Ta） |
| 系列 | 2N7002E |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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