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Datasheet下载- 型号： MMBFJ310LT3G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ310LT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ310LT3G价格参考。ON SemiconductorMMBFJ310LT3G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 JFET 10V 10mA 12dB SOT-23-3（TO-236）。您可以下载MMBFJ310LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBFJ310LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBFJ310LT3G是一款N沟道JFET（结型场效应晶体管），属于射频MOSFET类别，常用于高频小信号放大和开关应用。该器件采用SOT-23小型表面贴装封装，适合空间受限的高密度电路设计。 主要应用场景包括： 1. 射频放大器：适用于VHF/UHF频段的小信号放大，常见于无线通信设备、对讲机、射频接收模块等。 2. 低噪声放大（LNA）：因其良好的噪声性能，可用于前端射频信号的初级放大，提升接收灵敏度。 3. 模拟开关与调制电路：在射频信号路由、电视调谐器、CATV设备中作为高速开关元件。 4. 振荡器与混频器：用于频率转换电路中，如无线电收发器中的本振部分。 5. 消费类电子产品：如遥控器、无线传感器、智能家居设备中的射频处理单元。 MMBFJ310LT3G具有低栅极漏电流、高输入阻抗和良好的热稳定性，适合电池供电设备，有助于降低功耗。其绿色环保设计（符合RoHS标准）也使其适用于工业控制、汽车电子外围通信模块等对可靠性要求较高的领域。 总体而言，该器件广泛应用于需要小型化、低功耗和稳定射频性能的中低端射频系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 25V SOT-23 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBFJ310LT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | N 通道 JFET |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | 25V |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | - |
| 额定电流 | 60mA |
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