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FDB8447L产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB8447L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB8447L价格参考。Fairchild SemiconductorFDB8447L封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 15A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),60W(Tc) TO-263AB。您可以下载FDB8447L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB8447L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB8447L 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热性能,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:FDB8447L 的低导通电阻特性使其非常适合用于高效能的 DC-DC 转换电路,能够减少功率损耗并提高转换效率。 - 降压/升压转换器:作为主开关或同步整流 MOSFET,用于设计高效的电源管理系统。 - 负载开关:在便携式设备中用作负载开关,控制电源路径以降低功耗。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于消费电子、家用电器中的小型直流电机驱动电路,提供高效的开关性能。 - H 桥电路:在 H 桥驱动电路中,FDB8447L 可用于双向电机控制,支持正转、反转及刹车功能。 3. 电池管理 - 电池保护电路:用于锂离子电池组的充放电保护,防止过流、短路等异常情况。 - 电池均衡:在多节电池系统中,通过 MOSFET 实现电池单元间的电压均衡。 4. 消费电子产品 - 笔记本电脑与平板电脑:应用于电源适配器、充电电路和内部电源分配。 - 智能手机:用于快充电路、摄像头驱动、振动马达控制等场景。 - 音频设备:如扬声器放大器的开关电源部分,提供稳定的供电。 5. 工业应用 - LED 驱动:在 LED 照明系统中,用作电流调节或调光控制的开关元件。 - 继电器替代:利用其快速开关特性,取代传统机械继电器,实现更可靠和紧凑的设计。 - 信号调理:在工业自动化设备中,用于信号隔离、放大和传输。 6. 汽车电子 - 车载电子设备:如信息娱乐系统、车窗升降器、雨刷控制器等。 - 辅助电源:为车载传感器、ECU(电子控制单元)等提供稳定电源。 FDB8447L 凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于需要高效功率转换和精确控制的场合,特别适合对成本敏感且要求高性能的消费级和工业级产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 15A D2PAKMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB8447LPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB8447L |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 6 ns |
| 下降时间 | 4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2620pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.5 毫欧 @ 14A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FDB8447LDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 28 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 58 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A (Ta), 50A (Tc) |
| 系列 | FDB8447L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |