Datasheet下载- 型号： IRFS4615PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS4615PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS4615PBF价格参考。International RectifierIRFS4615PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFS4615PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS4615PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFS4615PBF 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），且为单通道设计。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 - IRFS4615PBF 常用于 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）和电压调节模块（VRM）中，作为功率开关元件。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功耗并提高效率。 - 适用于笔记本电脑、台式机和其他电子设备的电源管理系统。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中，如风扇、泵或伺服电机控制，IRFS4615PBF 可用作驱动电路中的开关元件。 - 支持高效、稳定的电流切换，确保电机运行平稳。 3. 负载开关 - 该 MOSFET 可用于负载开关设计，实现对不同负载的快速开启和关闭。例如，在电池供电设备中，用于优化电池寿命。 - 其快速开关能力和低损耗特性使其非常适合便携式电子产品。 4. 逆变器与变频器 - 在小型逆变器或变频器中，IRFS4615PBF 可用于高频开关操作，支持将直流电转换为交流电。 - 应用于太阳能微逆变器、家用电器变频控制等场景。 5. 保护电路 - 用于过流保护、短路保护和热保护电路中。通过精确控制电流流动，防止系统因异常情况受损。 - 适用于 USB 充电器、适配器和电源模块中的保护功能。 6. 汽车电子 - 在汽车电子领域，IRFS4615PBF 可用于车身控制模块（BCM）、LED 照明驱动以及辅助电子系统的功率管理。 - 满足汽车环境中对可靠性和稳定性的严格要求。 7. 通信设备 - 在通信基站、路由器和交换机等设备中，用于电源分配和信号调理。 - 提供高效的功率传输，同时降低热量产生。 总结 IRFS4615PBF 的主要应用场景集中在需要高效功率转换、低损耗开关和高可靠性工作的领域。它特别适合消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等行业的多种应用需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 33A D2-PAKMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 26nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
| Id-连续漏极电流 | 33 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS4615PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS4615PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 144 W |
| Pd-功率耗散 | 144 W |
| Qg-GateCharge | 26 nC |
| Qg-栅极电荷 | 26 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 42 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 42 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V to 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V to 5 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1750pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 42 毫欧 @ 21A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 144W |
| 功率耗散 | 144 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 42 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 26 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 35 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 150 V |
| 漏极连续电流 | 33 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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