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Datasheet下载- 型号： SIRA00DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIRA00DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIRA00DP-T1-GE3价格参考。VishaySIRA00DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SIRA00DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIRA00DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIRA00DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该器件适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）等应用，能够高效地控制电流的开关状态，降低功耗。 2. 电机驱动：在小型电机驱动电路中，SIRA00DP-T1-GE3可以用作功率开关，实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 负载开关：在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，该MOSFET可用作负载开关，以实现快速开启和关闭功能模块，从而节省电池电量。 4. 电池保护：在电池管理系统（BMS）中，这款MOSFET可以用于防止过流、短路和过充等情况，确保电池的安全运行。 5. 通信设备：在基站、路由器和其他通信设备中，SIRA00DP-T1-GE3可用于信号放大和功率控制，支持高效的射频（RF）和数据传输。 6. 工业自动化：在工业控制系统中，这款MOSFET可用于驱动继电器、电磁阀和其他执行器，提供可靠的开关性能。 7. 汽车电子：在汽车应用中，例如LED照明、电动窗和座椅调节系统，该器件可作为功率开关，满足严格的汽车级可靠性要求。 SIRA00DP-T1-GE3具有低导通电阻（Rds(on)）和高切换速度的特点，适合需要高效能和低损耗的应用场合。此外，其紧凑的封装形式（如TrenchFET Gen III技术）使其易于集成到空间受限的设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIRA00DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIRA00DP-T1-GE3SIRA00DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 104 W |
| Pd-功率耗散 | 104 W |
| Qg-GateCharge | 66 nC |
| Qg-栅极电荷 | 66 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 2.2 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 2.2 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11700pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 220nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30392 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIRA00DP-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 67 ns |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 140 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 60 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
| 系列 | SIRAxxDP |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SIRA00DP-GE3 |
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