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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF540PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF540PBF价格参考¥询价-¥询价。VishayIRF540PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF540PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF540PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRF540PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - IRF540PBF常用于开关电源中的开关管,能够高效地控制电压和电流的转换。 - 它适用于降压、升压或反激式转换器,提供稳定的直流输出。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中,IRF540PBF可作为功率开关,控制电机的启停、速度和方向。 - 其低导通电阻(典型值为0.078Ω)有助于减少功耗并提高效率。 3. 逆变器 - 用于将直流电转换为交流电的逆变器电路中,IRF540PBF可以实现高效的开关操作。 - 常见于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)等设备。 4. 负载开关 - 在需要动态控制负载的应用中,IRF540PBF可用作负载开关,快速接通或断开负载。 - 例如,在汽车电子、消费电子中控制外围设备的供电。 5. DC-DC转换器 - 作为主开关管或同步整流管,IRF540PBF在DC-DC转换器中表现优异。 - 支持高频率开关操作,降低能量损耗。 6. 脉宽调制(PWM)控制 - 在LED驱动、音频放大器等PWM控制应用中,IRF540PBF可用于调节输出功率或亮度。 - 其快速开关特性和良好的热稳定性使其非常适合此类场景。 7. 保护电路 - 可用作过流保护、短路保护或电子保险丝。 - 利用其栅极控制特性,实现对异常电流的有效限制。 总结 IRF540PBF凭借其高耐压(100V)、大电流(16A)和低导通电阻的特点,适用于多种功率控制场景。它在工业、汽车、消费电子等领域均有广泛应用,特别是在需要高效开关和低功耗的场合表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 28A TO-220ABMOSFET N-Chan 100V 28 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 28 A |
Id-连续漏极电流 | 28 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF540PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRF540PBFIRF540PBF |
Pd-PowerDissipation | 150 W |
Pd-功率耗散 | 150 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 77 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 77 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 44 ns |
下降时间 | 43 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 77 毫欧 @ 17A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRF540PBF |
典型关闭延迟时间 | 53 ns |
功率-最大值 | 150W |
功率耗散 | 150 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 77 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 28 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 28A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |