| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3456CDV-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3456CDV-T1-E3价格参考。VishaySI3456CDV-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI3456CDV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3456CDV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3456CDV-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET,属于单MOSFET晶体管,采用小型表面贴装封装(如SOT-23),具有低导通电阻、高开关效率和良好的热稳定性。该器件广泛应用于便携式电子设备和电源管理领域。 典型应用场景包括:智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的电源开关和负载开关,用于控制电池供电或模块供电的通断;在DC-DC转换电路中作为同步整流或高端/低端开关,提升电源转换效率;适用于热插拔电路和过压保护电路,提供快速响应与可靠保护;还可用于LED驱动、传感器电源控制及小型电机驱动等低电压、低功耗系统。 由于其小尺寸封装和优异的电气性能,SI3456CDV-T1-E3特别适合空间受限的高密度PCB设计,广泛用于便携式医疗设备、可穿戴设备、无线耳机、智能家居控制模块等对体积和能效要求较高的场合。同时,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3456CDV-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 460pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 34 毫欧 @ 6.1A,10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 3.3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.7A (Tc) |