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Datasheet下载- 型号： IRLHM620TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLHM620TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLHM620TRPBF价格参考。International RectifierIRLHM620TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLHM620TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLHM620TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRLHM620TRPBF的器件属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，具体为单个N沟道增强型MOSFET。该器件广泛应用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。 IRLHM620TRPBF的典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、稳压模块（VRM）和负载开关，提供高效的能量转换和低导通损耗。 2. 电机控制：在电动工具、风扇、泵等小型电机驱动电路中作为开关元件，实现对电机转速和方向的控制。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电保护电路中，控制电流流向并防止过载或短路。 4. 照明系统：如LED驱动电路，用于调节亮度或作为开关控制。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、电源适配器、充电器等设备中的功率开关。 6. 工业自动化：用于PLC（可编程逻辑控制器）或工业电源中，实现对执行器或传感器的高效控制。 该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高频率响应和小型封装（如TSOP），适合用于空间受限但要求高效率和快速开关的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 26A PQFNMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 52nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLHM620TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLHM620TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 37 W |
| Pd-功率耗散 | 37 W |
| Qg-GateCharge | 52 nC |
| Qg-栅极电荷 | 52 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.5 V to 1.1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.5 V to 1.1 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 37 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3620pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 毫欧 @ 20A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（3x3） |
| 典型关闭延迟时间 | 57 ns |
| 功率-最大值 | 2.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | PQFN-8 3X3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 58 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 40 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 26A （Ta）， 40A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlhm620pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlhm620pbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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