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  • 型号: PSMN023-40YLCX
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN023-40YLCX由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN023-40YLCX价格参考。NXP SemiconductorsPSMN023-40YLCX封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN023-40YLCX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN023-40YLCX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN023-40YLCX 是 NXP USA Inc.(恩智浦)生产的一款单N沟道增强型MOSFET,适用于多种功率管理和开关应用。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关中,以提高电源效率并减少能量损耗。

2. 电机控制:在电动工具、电动车及工业自动化设备中,用于驱动直流电机或步进电机,实现高效调速与启停控制。

3. 照明系统:适用于LED照明的调光电路或高亮度LED驱动电路,提供稳定电流控制。

4. 消费电子产品:如笔记本电脑、平板电脑、智能家电等设备中的低电压功率开关或电池管理系统。

5. 汽车电子:用于车载充电系统、车身控制模块、电动窗或座椅控制系统中,具备良好的热稳定性和可靠性。

该器件具有低导通电阻、高耐压(40V)、封装小巧等特点,适合高频开关操作,适用于追求高效率和小体积设计的电路方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N CH 40V 24A LFPAKMOSFET N-channel 40V MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

24 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN023-40YLCX-

数据手册

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产品型号

PSMN023-40YLCX

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

25 W

Pd-功率耗散

25 W

Qg-GateCharge

4.3 nC

Qg-栅极电荷

4.3 nC

RdsOn-漏源导通电阻

26 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.67 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.67 V

上升时间

3.8 ns

下降时间

3.1 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.95V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

520pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

23 毫欧 @ 5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

568-10157-1

典型关闭延迟时间

9.9 ns

功率-最大值

25W

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

26 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

封装/箱体

LFPAK-4

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

40 V

漏极连续电流

24 A

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

24A (Tmb)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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