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产品简介:
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FDP79N15 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)。该器件常用于需要高效能开关和功率控制的场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等,因其低导通电阻和高效率特性,有助于提高电源系统的整体效率并减少发热。 2. 电机控制:在电动工具、工业自动化设备及电动车中,FDP79N15可用于驱动直流电机或作为H桥电路的一部分,实现电机方向与速度的控制。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和逆变器设计中,该MOSFET可作为关键的开关元件,实现电能形式的转换与稳定输出。 4. 汽车电子:由于其良好的热稳定性和可靠性,也适用于车载电源系统、电池管理系统(BMS)以及车用电机控制器等场景。 5. 工业控制系统:如PLC模块、继电器替代方案、负载开关等,适合用于对响应速度和耐用性有较高要求的工业应用。 综上,FDP79N15凭借其高性能参数和稳定性,广泛应用于电源转换、电机驱动、工业控制和汽车电子等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 79A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDP79N15 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UniFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3410pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 73nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 39.5A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 463W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 79A (Tc) |