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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP4310ZPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP4310ZPBF价格参考¥10.11-¥10.61。International RectifierIRFP4310ZPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFP4310ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP4310ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFP4310ZPBF是一款N沟道功率MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS): IRFP4310ZPBF适用于开关电源中的功率开关应用,例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其高电流处理能力和低导通电阻(Rds(on))特性使其在高频开关环境中表现出色。 2. 电机驱动: 该器件可用于各种电机驱动电路中,例如步进电机、无刷直流电机(BLDC)和有刷直流电机。它能够承受较高的电流负载,同时提供高效的开关性能。 3. 逆变器: 在太阳能逆变器或不间断电源(UPS)系统中,IRFP4310ZPBF可以作为功率级开关元件,用于将直流电转换为交流电。 4. 负载切换与保护: 它可以用作负载切换开关,控制大电流负载的开启和关闭。此外,其坚固的设计也使其适合过流保护和短路保护电路。 5. 音频放大器: 在大功率音频放大器中,IRFP4310ZPBF可以用作输出级的开关或线性放大元件,提供高效率和低失真性能。 6. 电动车与工业设备: 在电动车(EV)、电动工具和工业设备中,这款MOSFET可作为主驱动电路的一部分,实现高效的能量转换和控制。 7. 脉宽调制(PWM)控制器: 在需要精确控制输出电压或电流的场合,如LED驱动器或加热器控制,IRFP4310ZPBF可以配合PWM信号实现高效的功率调节。 总结来说,IRFP4310ZPBF凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于需要高电流、高效率和快速开关能力的各种电力电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 120A TO-247ACMOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 134 A |
Id-连续漏极电流 | 134 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP4310ZPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFP4310ZPBF |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 280 W |
Pd-功率耗散 | 280 W |
Qg-GateCharge | 120 nC |
Qg-栅极电荷 | 120 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 150µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6860pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 毫欧 @ 75A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247AC |
功率-最大值 | 280W |
功率耗散 | 280 W |
包装 | 散装 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 4.8 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 25 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 120 nC |
标准包装 | 25 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 134 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
配置 | Single Dual Drain |
闸/源击穿电压 | 20 V |