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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7748DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7748DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7748DP-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI7748DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7748DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7748DP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性,适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、电源开关电路中,实现高效的电能传输与调节。 2. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等,用于电池充放电保护及电源切换。 3. 电机控制:在小型电机或继电器驱动电路中作为开关元件使用。 4. 工业控制系统:用于 PLC、工业电源模块、传感器供电控制等领域。 5. 负载开关:作为高侧或低侧开关,控制对特定负载的供电,具备过载与短路保护功能。 其封装为 8-SOIC,便于贴片安装,适合高密度 PCB 设计。由于其良好的性能和可靠性,SI7748DP-T1-GE3 广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8MOSFET 30V 50A 56W 4.8mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 23.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7748DP-T1-GE3SkyFET®, TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7748DP-T1-GE3SI7748DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 4.8 W |
| Pd-功率耗散 | 4.8 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.8 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.7V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3770pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 92nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.8 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7748DP-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 功率-最大值 | 56W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.8 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 23.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single with Schottky Diode |
| 零件号别名 | SI7748DP-GE3 |