Datasheet下载- 型号： BSP89,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP89,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP89,115价格参考。NXP SemiconductorsBSP89,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSP89,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP89,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSP89,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）- 单类型。以下是该型号可能的应用场景： 1. 电源管理： BSP89,115 适用于各种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、开关稳压器和负载开关。其低导通电阻特性有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 电机控制： 在小型电机驱动中，这款 MOSFET 可用于实现高效的开关功能，适用于风扇、泵和其他小型直流电机的控制。 3. 电池保护： 由于其出色的开关特性和低功耗性能，BSP89,115 常用于电池管理系统 (BMS) 中，以保护电池免受过流或短路的影响。 4. 信号切换： 在音频设备、传感器接口或其他需要高速信号切换的应用中，该 MOSFET 的快速开关能力和低电容特性使其成为理想选择。 5. 汽车电子： BSP89,115 可应用于汽车电子领域，如车载信息娱乐系统、LED 照明控制以及车身控制模块 (BCM) 中的开关电路。 6. 消费电子产品： 它广泛用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的充电管理和外围设备控制。 7. 工业自动化： 在工业控制系统中，这款 MOSFET 可用于继电器驱动、电磁阀控制以及其他需要高效开关的场合。 总之，BSP89,115 凭借其高性能和可靠性，适合多种需要高效功率转换和精确控制的应用场景。具体使用时需根据实际需求参考其数据手册以确保正确选型和设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223MOSFET N-CH DMOS 240V 375MA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 375 mA |
| Id-连续漏极电流 | 375 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSP89,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSP89,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1500 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 240 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 240 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 120pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 340mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-1769-1 |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 240V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 375mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 零件号别名 | BSP89 T/R |
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