Datasheet下载- 型号： STF6N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STF6N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF6N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTF6N60M2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STF6N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF6N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STF6N60M2是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件具有低导通电阻、高耐压（600V）和良好的热稳定性，适用于多种功率电子应用。 主要应用场景包括： 1. 电源转换器：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC适配器中，因其高效率和快速开关特性，有助于提高电源系统的整体效率。 2. 电机驱动：适用于电动工具、家电和工业自动化中的电机控制电路，提供高效的开关控制和过载保护能力。 3. 照明系统：用于LED照明驱动电源中，特别是在高亮度LED和智能照明系统中，确保稳定高效的电流控制。 4. 消费电子产品：如电视、音响设备和充电器等，用于电源管理和功率控制部分，满足节能和小型化设计需求。 5. 工业控制系统：在工业自动化设备中作为功率开关使用，控制电机、继电器或电磁阀等负载。 6. 新能源应用：如太阳能逆变器和储能系统中，用于能量转换和管理，适应高电压工作环境。 STF6N60M2凭借其优异的性能和可靠性，广泛应用于需要高效率、小体积和高稳定性的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V TO-220FPMOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF6N60M2MDmesh™ II Plus |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF6N60M2 |
| Pd-PowerDissipation | 20 W |
| Pd-功率耗散 | 20 W |
| Qg-GateCharge | 8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.06 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.06 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 7.4 ns |
| 下降时间 | 22.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 232pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 2.25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-13948-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 20W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.06 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 FP |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 4.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Ta） |
| 系列 | STF6N60M2 |
| 配置 | Single |
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