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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MSD1328-RT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSD1328-RT1G价格参考。ON SemiconductorMSD1328-RT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 20V 500mA 200mW 表面贴装 SC-59。您可以下载MSD1328-RT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MSD1328-RT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ONS品牌的MSD1328-RT1G是一款PNP型双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23小外形贴片封装,具有低饱和压降、高直流电流增益(hFE典型值达300)和快速开关特性。其典型应用场景包括: 1. 便携式电子设备的电源管理:如手机、TWS耳机、智能穿戴设备中的LED驱动、背光控制或负载开关; 2. 信号电平转换与逻辑接口电路:在MCU(如STM32、ESP32)GPIO驱动能力不足时,用作电平移位或反相缓冲器,实现5V/3.3V系统与低压外设间的可靠通信; 3. 小型DC-DC转换器辅助电路:用于PWM反馈回路中的基准电压切换、使能信号控制或过流检测开关; 4. 消费类家电控制板:如小家电(电动牙刷、充电宝、智能灯控)中驱动继电器、蜂鸣器、小型电磁阀等中低功率负载; 5. 电池保护与充放电管理模块:配合保护IC实现充放电路径的通断控制(如MOSFET栅极驱动或电流检测开关)。 该器件工作结温范围为–55°C至+150°C,符合AEC-Q200可靠性标准(部分批次),适用于对尺寸、功耗和成本敏感的工业及消费级应用。注意:实际使用需确保基极限流电阻设计合理,避免过驱动,并留足散热余量。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN GP BIPO 20V SC-59两极晶体管 - BJT 500mA 25V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MSD1328-RT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MSD1328-RT1G |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 20mA,500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 12 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 25 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 频率-跃迁 | - |