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  • 型号: PZTA42,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PZTA42,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZTA42,115价格参考。NXP SemiconductorsPZTA42,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 300V 100mA 50MHz 1.2W 表面贴装 SOT-223。您可以下载PZTA42,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PZTA42,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PZTA42,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 NPN 型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。其典型应用场景包括:

1. 开关电路:常用于电源开关、继电器驱动、LED 控制等数字开关应用。由于其具备较高的集电极电流(最高达 500mA)和良好的开关特性,适合在微控制器与负载之间作为驱动级使用。

2. 信号放大:适用于音频信号或传感器小信号的放大电路,如前置放大器、音频驱动模块等,可有效放大弱电信号。

3. 电源管理:在稳压电源或电压调节电路中用作串联调整管或电流控制元件,帮助实现稳定的输出电压。

4. 消费类电子产品:广泛应用于电视、机顶盒、家用电器控制板、充电设备等小型电子装置中,执行信号切换或驱动功能。

5. 工业控制:用于PLC模块、电机驱动电路、光电耦合器驱动等工业自动化场景,提供可靠的开关响应。

PZTA42,115 采用 SOT-23 小型表面贴装封装,节省空间,适合高密度 PCB 设计。其最大集电极-发射极电压为 30V,适用于低电压、中等电流的场合。同时具备良好的热稳定性和可靠性,适合在工业温度范围内稳定工作。

综上,该器件是一款经济高效的通用型 BJT,适用于需要小体积、中等功率开关与放大功能的多种电子系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 300V 100MA SOT223两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PZTA42,115-

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产品型号

PZTA42,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 2mA,20mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 30mA,10V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-73

其它名称

568-6559-6

功率-最大值

1.2W

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

50 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223

工厂包装数量

1000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

1200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

300V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

25 at 1 mA at 10 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

25 at 1 mA at 10 V, 40 at 10 mA at 10 V, 40 at 30 mA at 10 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

300 V

集电极—基极电压VCBO

300 V

零件号别名

PZTA42 T/R

频率-跃迁

50MHz

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