Datasheet下载- 型号： FQI10N60CTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI10N60CTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI10N60CTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI10N60CTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI10N60CTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI10N60CTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI10N60CTU 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有 600V 的击穿电压 (BVDSS)，适用于高电压和中等功率的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - FQI10N60CTU 常用于开关模式电源中的高频开关元件，例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 - 其高电压耐受能力使其适合用于高压输入环境，如工业电源或汽车电子设备。 2. 电机驱动 - 适用于中小功率的电机控制，例如家用电器中的风扇、水泵或压缩机。 - 可作为 H 桥电路的一部分，用于双向电机控制。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或 UPS（不间断电源）系统中，用作功率开关，将直流电转换为交流电。 - 高耐压特性使其能够承受逆变器工作时的电压波动。 4. 负载开关 - 用于需要快速开启/关闭大电流负载的场合，例如 LED 照明、加热器或其他高功耗设备。 - 提供低导通电阻 (Rds(on))，减少功率损耗并提高效率。 5. 保护电路 - 在过流保护、短路保护或电子保险丝应用中，利用其快速开关特性和高可靠性。 - 适用于需要高电压隔离的工业控制设备。 6. 汽车电子 - 可用于汽车中的启动电机、电动车窗、座椅调节等系统的功率控制。 - 符合汽车级要求的版本还可应用于更严苛的车载环境。 7. 脉宽调制 (PWM) 控制 - 在 PWM 控制电路中，用作功率输出级，实现对负载的精确控制。 - 应用于音频放大器、伺服控制系统等领域。 总结 FQI10N60CTU 的高电压、低导通电阻以及良好的开关性能，使其成为许多电力电子应用的理想选择。其典型应用场景包括开关电源、电机驱动、逆变器、负载开关和保护电路等。在设计中，需根据具体需求考虑散热、驱动电路匹配等因素，以确保其稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI10N60CTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2040pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 730 毫欧 @ 4.75A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.5A （Tc） |
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